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FDV303N

厂商名称：ON安森美

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，25 V，680 mA，0.33 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R

数据手册：

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FDV303N概述

Fairchild公司的FDV303N是一个表面安装的N沟道逻辑电平加强模式数字FET，SOT-23封装.此设备具有高密度，DMOS技术，量身设计以最小化通导电阻并保持低栅极驱动条件.甚至当栅极驱动电压低至2.5V时，此设备具有卓越的通导电阻，设计用于电池电路，电路可采用一块锂电池，或三个镉电池，或NHM电池，另有逆变器，高效微型离散直流/直流转换器位于如移动电话和传呼机等电子设备.

漏极至源极电压:25V

栅-源电压：8V

持续漏电流(ld):680mA

功率耗散:350mW

低导通电阻:330mohm，Vgs 4.5V

工作温度范围:-55°C至150°C

应用

电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业

FDV303N中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	680 mA	最大栅源电压	+8 V
最大漏源电压	25 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	SOT-23	宽度	1.3mm
安装类型	表面贴装	高度	0.93mm
引脚数目	3	典型栅极电荷@Vgs	1.64 nC @ 4.5 V
最大漏源电阻值	450 mΩ	长度	2.92mm
通道模式	增强	晶体管材料	Si
最小栅阈值电压	0.65V	最低工作温度	-55 °C
最大功率耗散	350 mW	最高工作温度	+150 °C